13mm2 DUV Photodiode (Metal Housing 포함)

DUV Photodiodes

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KRW 137,800
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KRW 137,800
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Operating Temperature (°C):
-20 to +60
Size of Active Area (mm):
3.6 x 3.6
Storage Temperature (°C):
-55 to +80
Rise Time (μs):
0.5 @ 0 V, 1 kΩ
Responsivity @ 980nm (A/W):
0.5
Shunt Resistance @ V=-10mV (GΩ):
Minimum: 0.2
Typical: 0.8
Responsivity @ 633nm (A/W):
0.34
Responsivity @ 200nm (A/W):
0.12
Capacitance @ VR=0V (pF):
150.00
Active Area (mm2):
13.0
Noise Equivalent Power NEP (W/ Hz1/2):
4.1 x 10-14 @ 0 V, 200nm
Maximum Reverse Voltage (V):
5.00
Connector:
TO-5
Peak Response Wavelength (nm):
980.00

Regulatory Compliance

Certificate of Conformance:

제품군의 상세 설명

  • 탁월한 UV Sensitivity
  • 높은 Shunt Resistance
  • 낮은 Capacitance (정전 용량)

DUV Photodiode는 UV spectrophotometry, 그리고 분석 및 의료 장비를 포함한 광범위한 용도에 아주 적합합니다. DUV Photodiode는 200 – 400nm 범위에서의 반응성 개선, 그리고 190nm까지의 sensitivity 확장을 위해 설계되었습니다. DUV Photodiode는 quartz window와 금속 또는 세라믹 하우징을 특징으로 합니다. NIR 성능을 줄인 모델도 이용이 가능합니다.

 
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