Segmented InGaAs Photodiodes

Segmented InGaAs Photodiodes는 4개의 개별 요소로 분할된 대형 활성 영역을 특징으로 합니다. 이 포토다이오드를 구성하는 4개의 요소는 반응 균일성이 높고 혼선성이 낮아 정밀 무효화(nulling) 및 센터링 용도에 사용할 수 있습니다. 이 제품은 시간 및 온도 변화에 안정적이며 900 - 1700nm 범위의 반응 구간을 제공하고 특히 1100 - 1620nm에서 우수한 반응성을 보입니다. Segmented InGaAs Photodiodes는 근적외선 스펙트럼에서의 위치 감지, 빔 정렬, 빔 프로파일링 용도에 이상적으로 사용할 수 있습니다. 각 포토다이오드는 처리량 증가를 위해 무반사(AR) 코팅을 입힌 절연된 TO-5 또는 TO-8 캔에 포장 공급됩니다.