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II-VI LightSmyth™ 139nm, 50nm Groove Depth, 12.5mm Sq. Linear Silicon Nanostamp

II-VI LightSmyth™ Nanopatterned Silicon Stamps

II-VI LightSmyth™ Nanopatterned Silicon Stamps

재고 #16-857 신제품
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Period (nm):
139 ±6.95
Groove Depth (nm):
50 ±7.5
Line Width (nm):
50
Dimensions (mm):
12.50 x 12.50
Clear Aperture CA (mm):
11.50 x 11.50
Coating:
Uncoated
Construction:
RIE Grating
Length (mm):
12.50
Model Number:
1304117
Substrate: Many glass manufacturers offer the same material characteristics under different trade names. Learn More
Single Crystal Silicon
Surface Quality:
60-40 (within CA)
Thickness (mm):
0.68 ±0.05
Type:
Nanopatterned Silicon Stamp
Width (mm):
12.50

Regulatory Compliance

제품군의 상세 설명

  • 나노 규모의 그루브(홈)로 구성된 표면
  • 다양한 그루브 간격 및 깊이
  • 나노광학 연구 용도에 안성맞춤

II-VI LightSmyth™ Nanopattern Silicon Stamps는 단일 크리스털 실리콘 기판에 나노 규모의 패턴을 가지고 있는 표면으로 구성됩니다. 이 제품은 반응성 이온식각(RIE) 공법으로 사다리꼴 단면을 가진 선형 그루브(홈)가 기판 표면에 식각되어 기존의 그레이팅과 유사합니다. 또한 식각 공정을 통해 그루브의 간격과 깊이를 다양하게 적용할 수 있을 뿐만 아니라 래티스와 같은 보다 복잡한 패턴 또한 형성할 수 있습니다. II-VI LightSmyth™Nanopattern Silicon Stamps는 광학 및 포토닉스, 생물학, 화학, 나노임프린팅, 미세유체공학 분야에서 나노광학 연구 용도에 이상적으로 사용할 수 있습니다.

SEM Image of 139nm, 50nm Groove Depth Linear Silicon Nanostamps (Cross Section)
SEM Image of 139nm, 50nm Groove Depth Linear Silicon Nanostamps (Cross Section)
SEM Image of 139nm, 50nm Groove Depth Linear Silicon Nanostamps (Top Down)
SEM Image of 139nm, 50nm Groove Depth Linear Silicon Nanostamps (Top Down)
 
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