3mm Dia., Four-Element Segmented InGaAs Photodiode

Name: 3mm Dia., Four-Element Segmented InGaAs Photodiode
SKU: 17-078
Price: KRW 877,300 KRW

#17-078, 3mm Dia., Four-Element Segmented InGaAs Photodiode

재고 번호 #17-078 품절/문의요망

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KRW 877,300

가격(부가세 별도)
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제품사양

General

Rise/ Fall Time @ V_R=5V (ns):

24 (typical)

Physical & Mechanical Properties

Size of Active Area (mm):

3 Dia.

Element Gap (mm):

0.045

Electrical

Responsivity @ 1310nm (A/W):

0.85 minimum / 0.9 typical

Responsivity @ 1550nm (A/W):

0.9 minimum / 0.95 typical

Capacitance @ V_R=5V (pF):

225

Noise Equivalent Power NEP (W/ Hz^1/2):

2.50 x 10^-14 @ 1550nm

Maximum Reverse Voltage (V):

Dark Current @ V_R=5V (nA):

Maximum: 100 Typical: 2.0

Hardware & Interface Connectivity

Connector:

TO-8

Environmental & Durability Factors

Operating Temperature (°C):

-40 to +75

Storage Temperature (°C):

-55 to +125

Regulatory Compliance

Certificate of Conformance:

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제품설명

4개의 개별 활성 영역 요소로 구성
반응 균일성은 높고 혼란성은 낮음
위치 감지 및 빔 정렬에 안성맞춤
Segmented Silicon Photodiodes 및 InGaAs Photodiodes 또한 이용 가능

Segmented InGaAs Photodiodes는 4개의 개별 요소로 분할된 대형 활성 영역을 특징으로 합니다. 이 포토다이오드를 구성하는 4개의 요소는 반응 균일성이 높고 혼선성이 낮아 정밀 무효화(nulling) 및 센터링 용도에 사용할 수 있습니다. 이 제품은 시간 및 온도 변화에 안정적이며 900 - 1700nm 범위의 반응 구간을 제공하고 특히 1100 - 1620nm에서 우수한 반응성을 보입니다. Segmented InGaAs Photodiodes는 근적외선 스펙트럼에서의 위치 감지, 빔 정렬, 빔 프로파일링 용도에 이상적으로 사용할 수 있습니다. 각 포토다이오드는 처리량 증가를 위해 무반사(AR) 코팅을 입힌 절연된 TO-5 또는 TO-8 캔에 포장 공급됩니다.