에드몬드옵틱스는 당사 웹사이트의 기능과 콘텐츠를 최적화하고 개선하기 위해 쿠키를 사용합니다.‘OK’ 버튼을 클릭하면 전체 쿠키 정책에 동의하게 되며,‘세부 정보 표시’ 버튼을 클릭하면 더 자세한 정보를 확인할 수 있습니다.당사는 수집된 쿠키를 통해 제공되는 정보를 판매하지 않으며 해당 정보는 사용자 경험을 개선하는 용도로만 사용됩니다.
이 유형의 쿠키를 사용하지 않음
이 유형의 쿠키를 사용하지 않음
이 유형의 쿠키를 사용하지 않음
이 유형의 쿠키를 사용하지 않음
Segmented InGaAs Photodiodes는 4개의 개별 요소로 분할된 대형 활성 영역을 특징으로 합니다. 이 포토다이오드를 구성하는 4개의 요소는 반응 균일성이 높고 혼선성이 낮아 정밀 무효화(nulling) 및 센터링 용도에 사용할 수 있습니다. 이 제품은 시간 및 온도 변화에 안정적이며 900 - 1700nm 범위의 반응 구간을 제공하고 특히 1100 - 1620nm에서 우수한 반응성을 보입니다. Segmented InGaAs Photodiodes는 근적외선 스펙트럼에서의 위치 감지, 빔 정렬, 빔 프로파일링 용도에 이상적으로 사용할 수 있습니다. 각 포토다이오드는 처리량 증가를 위해 무반사(AR) 코팅을 입힌 절연된 TO-5 또는 TO-8 캔에 포장 공급됩니다.
본사 및 지사별 연락처 확인하기
견적 요청 도구
재고 번호 입력 필요
Copyright 2023, 에드몬드옵틱스코리아 사업자 등록번호: 110-81-74657 | 대표이사: 앙텍하우 | 통신판매업 신고번호: 제 2022-서울마포-0965호, 서울특별시 마포구 월드컵북로 21, 7층 (서교동, 풍성빌딩)