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InGaAs Variable Gain Photoreceiver, 900-1700nm

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재고 번호 #90-630 신제품 1개 보유
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KRW 6,249,500
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제품사양

General

Remote Control:
Yes
Note:
Includes:
LEMO® 3-pin connector
Datasheet

Physical & Mechanical Properties

Weight (g):
320
Dimensions (mm):
Case Size: 170 x 60 x 45

Optical Properties

Spectral Range:
900 - 1700 nm

Sensor

Detector Type:
InGaAs PIN

Electrical

Transimpedance Gain (Ω):
Low Noise: 1 x 103 - 1 x 108(adjustable in decade steps)
High Speed: 1 x 104 - 1 x 109(adjustable in decade steps)
Noise Equivalent Power NEP (W/ Hz1/2):
4.7 x 10-14- 1.8 x 10-10
Bandwidth (-3 db):
200 MHz max

Hardware & Interface Connectivity

Power Requirement:
±15 V, +150 mA/−100 mA, ±200 mA
Power Supply:
Power Supply Required and Sold Separately:
USA: #59-180
Europe: #59-180
Japan: Not Available
Korea: Not Available
China: #59-180

Environmental & Durability Factors

Operating Temperature (°C):
0 to +60

Regulatory Compliance

Certificate of Conformance:

제품설명

  • 조절할 수 있는 트랜스 임피던스 게인 범위가 102 - 1011 V/W로 매우 큼
  • 우수한 저잡음, 고감도 싱글 빔 감지 성능
  • 광출력에 대한 절대 측정에 최적화
  • 직접적인 정렬 없이도 통합이 가능한 설계

해당 제품은 조절할 수 있는 트랜스 임피던스 게인 범위가 102 - 1011 V/W로 매우 커서 출력 영역이 넓은 신호를 정밀하게 측정할 수 있습니다. 초저 노이즈 성능을 구현하도록 설계되어 NEP(Noise Equivalent Power)가 6fW/√Hz로 낮기 때문에 아주 약한 신호도 정확하게 감지할 수 있습니다. 싱글 빔 감지를 위한 설계가 적용된 제품이며 최대 감도 및 동적 범위를 제공하고 별도의 정렬 과정 없이 광학 시스템에 간편하게 통합할 수 있습니다. 해당 제품은 포토닉스 연구, 광통신 테스트, 정밀 저조도 측정 등의 어플리케이션에 적합합니다.

참고: 전원 공급 장치는 별도로 판매됩니다. 자세한 내용은 사양을 참조하세요.

 
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