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II-VI LightSmyth™ Nanopatterned Silicon Stamps

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  • 나노 규모의 그루브(홈)로 구성된 표면
  • 다양한 그루브 간격 및 깊이
  • 나노광학 연구 용도에 안성맞춤

II-VI LightSmyth™ Nanopattern Silicon Stamps는 단일 크리스털 실리콘 기판에 나노 규모의 패턴을 가지고 있는 표면으로 구성됩니다. 이 제품은 반응성 이온식각(RIE) 공법으로 사다리꼴 단면을 가진 선형 그루브(홈)가 기판 표면에 식각되어 기존의 그레이팅과 유사합니다. 또한 식각 공정을 통해 그루브의 간격과 깊이를 다양하게 적용할 수 있을 뿐만 아니라 래티스와 같은 보다 복잡한 패턴 또한 형성할 수 있습니다. II-VI LightSmyth™Nanopattern Silicon Stamps는 광학 및 포토닉스, 생물학, 화학, 나노임프린팅, 미세유체공학 분야에서 나노광학 연구 용도에 이상적으로 사용할 수 있습니다.

공통 스펙

Dimensions (mm):
12.50 x 12.50
Clear Aperture CA (mm):
11.50 x 11.50
Construction:
RIE Grating
Length (mm):
12.50
Thickness (mm):
0.68 ±0.05
Width (mm):
12.50
Coating:
Uncoated
Substrate:
Single Crystal Silicon
Surface Quality:
60-40 (within CA)

제품정보

 Period (nm)   Dimensions (mm)   제품 비교하기   재고 번호   가격(부가세 별도)  구입하기
855 12.50 x 12.50
139 12.50 x 12.50

제품자료

SEM Image of 855nm, 200nm Groove Depth Linear Silicon Nanostamps (Cross Section)
SEM Image of 855nm, 200nm Groove Depth Linear Silicon Nanostamps (Cross Section)
SEM Image of 855nm, 200nm Groove Depth Linear Silicon Nanostamps (Top Down)
SEM Image of 855nm, 200nm Groove Depth Linear Silicon Nanostamps (Top Down)
SEM Image of 139nm, 50nm Groove Depth Linear Silicon Nanostamps (Cross Section)
SEM Image of 139nm, 50nm Groove Depth Linear Silicon Nanostamps (Cross Section)
SEM Image of 139nm, 50nm Groove Depth Linear Silicon Nanostamps (Top Down)
SEM Image of 139nm, 50nm Groove Depth Linear Silicon Nanostamps (Top Down)

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